【半导体设备】看好存储加速扩产，设备国产化有望快速提升【东吴机械】 受AI&产

【半导体设备】看好存储加速扩产，设备国产化有望快速提升【东吴机械】 受AI&产能结构调整影响，全球存储涨价超预期。 2025年10月全球存储芯片市场持续涨价，三星、SK海力士等头部厂商宣布第四季度DRAM合同价最高上调30%，NAND闪存合同价上调5%-10%。一方面AI驱动需求爆发，AI服务器对高性能存储（如HBM、DDR5）需求激增，挤压传统DRAM产能，导致DDR4等产品供应紧张；另一方面DRAM库存周期从2023年的31周降至2025年10月的8周，原厂削减DDR4产能转向高利润的HBM和DDR5。 两大存储FAB加速新产能扩张，看好设备国产化率提升。 长存三期（武汉）集成电路有限公司于9月5日成立、7月7日国产DRAM内存龙头长鑫存储正式启动上市征程；寒武纪和海光最新财报当中的营业收入和出货量也侧面反应了中芯国际先进逻辑产能的良率正在提高。我们认为国产半导体设备自身迎来历史性发展机遇，26年将会开启确定性强的扩产周期，设备全行业订单增速或超过30%，有望达到50%+。 看好两存敞口较高的设备商（新签订单两存占比）：北方华创（35%）、中微公司（70%）、拓荆科技（65%）、微导纳米（90%+）、迈为股份（90%+）。 风险提示：下游扩产速度不及预期，设备国产化进程不及预期。