国内科研团队成功破解芯片光刻难题。 国内科研团队成功破解芯片制造中的关键难题，光

国内科研团队成功破解芯片光刻难题。 国内科研团队成功破解芯片制造中的关键难题，光刻胶显影过程中的微观行为终于揭开神秘面纱。近年来随着芯片制造工艺的不断推进，光刻技术成为制约半导体行业发展的瓶颈之一。特别是在7纳米及更先进制程中，光刻胶显影过程中的微观行为一直是"黑匣子"，工业界只能依靠反复试错进行工艺优化。 近日，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及合作者通过冷冻电子断层扫描技术，首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为，从而指导开发出显著减少光刻缺陷的产业化方案。 相关论文发表在《自然·通讯》杂志上，研究团队合成出的分辨率优于5纳米的微观三维"全景照片"，不仅克服了传统技术无法原位三维、高分辨率观测的三大痛点，还揭示了光刻胶聚合物之间的"缠结"行为，这是工业界长期未能解决的关键问题。 这一突破将推动先进制程中光刻、蚀刻、湿法清洗等关键工艺的缺陷控制与良率提升，为芯片性能跨越式发展注入新动能。