变道超车,中国科研团队于芯片领域实现了这一壮举! 当全球都在全力钻研硅基芯片与EUV光刻机时,中国彭海琳团队摒弃硅材料,采用铋基二维材料成功研制出无硅芯片。此芯片仅有1.2纳米厚,无需EUV光刻机,能在200℃高温下稳定运行,还攻克了“漏电”难题。与硅基芯片相比,其电子迁移率提升超3倍,功耗降低至少10%。 硅基芯片的发展已逼近极限,中国造芯还受限于光刻机。此次无硅芯片的突破,宛如在无人涉足的道路上开辟出一条通途,为中国半导体发展带来新的曙光,有望重塑全球芯片格局。

变道超车,中国科研团队于芯片领域实现了这一壮举! 当全球都在全力钻研硅基芯片与EUV光刻机时,中国彭海琳团队摒弃硅材料,采用铋基二维材料成功研制出无硅芯片。此芯片仅有1.2纳米厚,无需EUV光刻机,能在200℃高温下稳定运行,还攻克了“漏电”难题。与硅基芯片相比,其电子迁移率提升超3倍,功耗降低至少10%。 硅基芯片的发展已逼近极限,中国造芯还受限于光刻机。此次无硅芯片的突破,宛如在无人涉足的道路上开辟出一条通途,为中国半导体发展带来新的曙光,有望重塑全球芯片格局。

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