【美国华人突破半导体规模化制备工艺限制】麻省理工的华裔研究人员朱佳迪，使用低温化学气相沉积法，在低于300℃的环境下，突破了大规模制备MoS2单层薄膜的工艺，这种工艺不需要高端光刻设备。
利用超薄二维材料进行晶体管的密集堆叠，是突破硅基芯片制程极限的路径之一。以往要将二维材料堆叠在CMOS晶圆上，需要较高的环境温度，会损坏硅晶体管和电路。朱佳迪和研究团队突破了规模化工艺的限制。
朱佳迪（Jiadi Zhu）仅有24岁，另一位论文共同作者麻省理工的博士后Ji-Hoon Park是韩裔，通讯作者Jing Kong也是华裔。华裔、韩裔协作实现半导体材料和工艺的突破。
用户15xxx62
光刻机白菜价？
用户98xxx52
你啥级别！