【主流芯片】
绝大多数芯片（按出货量计算）是在 28nm 及以上的成熟工艺（例如90nm、65nm、40nm）上制造的。传统的军用和车规芯片，如控制车窗和电源管理的 MCU 或 PMIC，使用这些成熟工艺确实足够了。
但是，现代的智能驾驶（ADAS）、智能座舱以及先进军事AI应用，它们需要强大的算力，因此必须依赖 7nm、5nm 甚至更先进的工艺。
【技术追赶】
我们可以利用 ASML（阿斯麦）的 DUV（深紫外）光刻机，通过多重曝光（Multi-Patterning）这项复杂的技术，确实可以制造出 7nm 的芯片（中芯国际和台积电第一代7nm都是这么做的）。
然而，这种方式的工序繁琐、成本高昂，且良品率（Yield）难以控制。这正是为什么台积电在有了更高效的 EUV 光刻机后，就迅速淘汰了 DUV 多重曝光方案。
【技术瓶颈】
台积电和整个行业在迈向 2nm（N2）和 1nm（A14）时，确实遭遇了巨大的物理瓶颈。这包括晶体管架构必须从 FinFET 转向 GAA（环绕栅极），以及必须克服量子隧穿效应带来的严重漏电和功耗问题。
【未来推论】
基于这个瓶颈，未来有两种可能：
* 推论一（停滞追赶）： 如果行业领头羊（台积电、三星、英特尔）在 1nm 的物理极限前集体停滞了很长时间，这将为追赶者提供一个宝贵的时间窗口，来缩短在良品率和成熟工艺上的差距。
* 推论二（换道超车）： 如果领头羊通过“换赛道”来绕过瓶颈，那么差距就可能在另一个维度被拉得更远。
而现实是，推论二正在发生。
这个“新赛道”主要就是 Chiplets（小芯片）和先进封装（Advanced Packaging）（例如台积电的 CoWoS）。当“摩尔定律”放缓，行业开始通过“像搭乐高一样”堆叠和封装不同的小芯片，来实现性能的飞跃。
因此，未来的竞争，不仅是晶圆制造（“纳米”）的竞争，更是先进封装（“堆叠”）的竞争。
