国内光刻机技术发展现状是既落后又有突破。目前在光刻机领域,我们和国际顶尖水平差距

聪颖星星 2025-11-22 08:41:48

国内光刻机技术发展现状是既落后又有突破。目前在光刻机领域,我们和国际顶尖水平差距较大。ASML的EUV光刻机都能造2nm芯片了,我们还处于ArF阶段,落后15 - 20年。而且高端光刻机被ASML垄断,对我国禁运,中端也受日本尼康、佳能制约,国产化率不足5%。 不过,我们也有好消息。已在两个方向取得突破,一是璞璘科技的纳米压印技术,首台PL - SR系列设备线宽<10nm,理论上能用于5nm以下芯片制造;二是浙江的EBL电子束技术。相信未来国内光刻机技术会不断进步。

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紫玉轩

紫玉轩

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2025-11-23 10:31

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聪颖星星

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