据海外媒体报道，台积电2nm芯片研发进展顺利，正按计划稳步推进，有望在2nm工艺节点竞争中抢占先机，AMD更是率先完成流片，领跑苹果与英特尔。

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目前，台积电2nm工艺节点在开发过程中表现出色，其缺陷率显著优于3nm和7nm工艺在相同研发阶段的表现。

据报道，该节点芯片的良率现已达到台积电成熟5nm工艺的水平，并预计将于2025年第四季度正式进入大规模量产阶段。

此次技术跃进的关键在于台积电采用了全新的GAAFET（全环绕栅极场效应晶体管）架构。相较于传统的FinFET架构，GAAFET架构中的每个晶体管都采用了被栅极材料完全包裹的nm片结构，这一变革大幅提升了晶体管密度，有效降低了漏电现象，并显著降低了功耗。这是台积电首次在量产芯片中应用GAAFET架构，标志着其在半导体制造技术上的又一次重大突破。