H210G56指标,计算下来就是125mtr的布线密度,125MTr/mm(即每平方毫米125亿个晶体管)。这一密度介于台积电的N6(113MTr/mm)与三星早期的5nm(127MTr/mm)工艺之间,相当于台积电的5.5nm工艺水平……
国产芯片突然喊出6nm、4nm,可国内代工厂连28nm都费劲,到底谁在背后偷偷开
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H210G56指标,计算下来就是125mtr的布线密度,125MTr/mm(即每平方毫米125亿个晶体管)。这一密度介于台积电的N6(113MTr/mm)与三星早期的5nm(127MTr/mm)工艺之间,相当于台积电的5.5nm工艺水平……
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