据知情人士周一透露，三星电子计划于下个月开始生产其下一代高带宽内存（HBM）芯片，即HBM4，并将其供应给英伟达（NVDA.US）。

在去年早些时候因供应延迟打击了收益和股价后，三星一直试图追赶同城对手SK海力士。后者是英伟达人工智能加速器所需先进内存芯片的主要供应商。

芯片行业消息人士表示，三星已通过了英伟达和AMD的HBM4资格测试，并将于下个月开始向英伟达出货。

三星电子DS部门已决定从2月起启动英伟达用12层堆叠HBM4的晶圆投片。该产品在去年底进入英伟达最终认证阶段，使三星电子在全球三大存储芯片厂商的进度领先于海力士和美光。

一位了解三星电子内部情况的消息人士表示，如果12层堆叠HBM4在无需修改设计的情况下顺利通过认证，那么从2月投片开始，三星还需要大约3个月完成工艺优化。按照这一节奏，具备商业供货条件的量产产品或将在5月中旬形成规模，并在随后逐步扩大出货。

SK海力士在去年10月曾表示，已完成与主要客户关于明年HBM供应的谈判。

SK海力士的一位高管本月初表示，该公司计划下个月开始在韩国清州的新工厂M15X部署硅晶圆以生产HBM芯片，但未详细说明HBM4是否属于初期生产的一部分。

三星和SK海力士都定于周四公布第四季度财报，届时预计将分享HBM4订单的详细信息。

英伟达首席执行官黄仁勋在本月初表示，随着这家美国公司准备在今年晚些时候推出与其配套的HBM4芯片，该公司的下一代芯片——VeraRubin平台已进入“全面生产”阶段。