【英伟达罕见入局内存研发：联手三星共同推进铁电NAND商业化】 3月13日，AI需求致HBM、NAND等存储芯片供不应求。英伟达与三星合作研发铁电NAND闪存，该技术可堆叠千层、降功耗96%，有望解决内存短缺与AI数据中心电力危机。全球NAND供应量2022达峰值后下降，今年一季度价格环比涨90%，英伟达下一代AI加速器所需NAND占全球总量9.3%。AI数据中心耗电量将激增，2030年达950太瓦时。英伟达还投资硅光子学企业，建立量子研究中心。三星铁电专利领先，北大开发出1nm铁电晶体管，行业竞争激烈。详情：英伟达罕见入局内存研发：联手三星共同推进铁电NAND商业化