据美媒报道称，日本与美国的企业实现超高密度3D闪存的重要技术突破。
日本企业铠侠（Kioxia）和美国存储企业闪迪（Sandisk）在通过晶圆间铜直接键合的多层堆叠单元阵列CMOS（MSA-CBA）结构上，成功实现了“世界首例”（两公司）的四层单元（QLC）操作的验证。两家公司将这一成果视为实现1000层以上超高密度3D闪存的重要技术里程碑，并计划在2026年6月举办的IEEE国际LSI学会“VLSI研讨会2026”（地点：美国夏威夷州）上联合发布。

3D闪存高层堆叠“克服主要课题”
VLSI研讨会2026将于2026年6月14日至18日举办。Kioxia和Sandisk此次以“面向超过1000字线/1000字线的超高密度3D闪存的晶圆间Cu直接键合多层堆叠单元阵列架构（A Multi-Stacked Cell Array Architecture with Wafer-to-Wafer Cu Direct Bonding for Ultra-High-Density 3D Flash Memory beyond 1000 Word Lines）”为题联合发布这一成果。

两家公司表示，通过此次成果，可以克服3D闪存高层堆叠中的主要问题，即单元电流劣化、晶圆翘曲以及大块（BLK）尺寸问题。“这些结果将成为面向拥有1000层以上堆叠结构的超高密度3D闪存的重要里程碑。”

事先公开的技术亮点中，展示了顺序堆叠及键合的MSA-CBA器件结构概念图，以及两块各具218字线的阵列晶圆的堆叠单元阵列FIB-SEM图像，并由此证明了大规模堆叠的有效性。此外，还介绍了第1、第2单元阵列及MSA-CBA的阈值电压（Vth）分布特性等图版。

在VLSI研讨会2026上，SAIMEMORY、Intel等还将发布“面向高带宽3D存储的多晶圆（9层）、极薄（每堆叠3μm-Si）及创新的Fusion Bond Via-in-one架构”等相关内容。