内存大战白热化！三星SK海力士硬刚3D DRAM标准！

AI芯片爆火带飞内存市场，三星和SK海力士正玩命抢下一代DRAM话语权。5月7日外媒爆料，两家都在猛攻10nm以下制程，全身心投入3D堆叠技术突破瓶颈。

传统平面内存缩到10nm以下就卡壳，电容没法再缩小还容易短路，3D DRAM把单元立体堆起来，像盖高楼一样挤容量。

三星押注GAAFET工艺，打算把控制电路藏到存储层下面。SK海力士另起炉灶搞4F2架构，垂直堆晶体管。路线完全不同，目标却高度一致。

谁先量产并拉高良率，谁就能定下行业标准，吃下AI时代最大蛋糕。这场技术对决，直接决定全球内存格局未来走向。三星 海力士芯片