韩国人自己把底牌亮出来了。

韩国半导体产业协会9月16号首次量化中韩存储差距：NAND只差1年，DRAM差2年，HBM落后3年。前几年这数字还是5年起步，直接砍半。

长江存储270层对三星300层，2027年要跳到400层。长鑫更猛，LPDDR5X已量产，LPDDR6也启动了。HBM是唯一硬骨头，良率才25%，但拉上长江存储搞铜铜混合键合，绕开EUV光刻机，不用看荷兰脸色。

产能上，长鑫月产30万片晶圆，2026年底加5万片HBM专线。长江存储2027年冲30万片，三星同期NAND才35万片。

当年说国产追不上的人，现在看看长鑫一季度508亿营收，脸疼不疼？