1) 负载电容的选择负载电容:
与石英谐振器一起决定振荡器的工作频率 ，通过调整负载电容 , 一 般可以将振荡器的工作频率调到标称值。产品说明书中规定的负载电容既是 一个测试条件，也是一个使用条件，这个值可以根据具体情况作适当调整 ,负载电容太大时杂散电容影响减少， 但可调范围下降; 负载电容小时可调范围增加，但杂散电容影响增加 , 负载电阻增加，甚至起振困难。负载电容标为 (series) 即为串联谐振。晶体工作在基频时 , 其负载电容的标准值为 12~20PF。
2) 基频振荡模式下晶体典型应用电路为:
当应用于CMOS振荡电路时，为了将激励电平保持在特定的数值范围内，获得稳定的振荡，电路图中的 Rd 是必不可少的。
3) 激励电平的影响:
一般来讲 , AT切晶体激励电平的增大 , 其频率变化是正的。 产品说明书中每种产品规定的激励电平值是一个测试条件 , 也是一个使用条件 , 实际使用中激励电平可以适当调整。激励电平过高会引起非线性效应 , 导致可能出现寄生振荡、严重热频漂、过应力频漂及电阻突变。当激励电平过低的时候则会造成起振阻力不易克服、工作不良及指标不稳定。常用标准有 50uw、100uw。
4) 须检查振荡电路的负阻抗:
负阻抗的值应是谐振阻抗的 5 ~ 10 倍; 当电路的负阻抗太小时 , 振荡会变得不稳定。
订货及使用注意事项1) 产品订货须知
产品订货单应明确如下要素: 产品型号、温度范围 、 标称频率、负载电容、调整频差、温度频差、以及需附加说明的事项如附加条件等。
2) 产品使用注意事项
电子线路外接电容应与晶体的负载电容匹配。按产品技术条件的要求使用 , 使用时激励功率等不得超过规定值。注意轻拿轻放, 避免高位跌落或受外力碰撞等引起的产品失效。避免外壳的划伤摩擦等伤害 , 造成表面损坏或标识不清。避免产品引线超负荷弯折和拉伸 , 导致绝缘子的损坏破裂等。避免产品引线再弯曲加工。焊接过程应避免焊料对产品引线与外壳造成短路。建议焊接温度不超过 265℃ , 焊接时间不超过 5 秒。产品应贮存在环境温度为 - 10C~ 40C、相对湿度不大于 80% 、 周围环境无酸性、 碱性及其它有害气体的库房中。