文|编辑:今日牡丹

最近有个事挺有意思，中国科技大学的张树辰团队在《自然》杂志封面上发表了一项新技术，叫做“自刻蚀”，他们没用光刻机，而是让材料自己“长”成晶体管，听起来像科幻，其实挺实在，他们用的是二维离子型软晶格材料，在特定温度下自动排好队，形成原子级平整的结构，电子跑得更快，功耗更低，理论上能突破1纳米。

以前制造芯片全靠光刻机一点点刻出来，尺寸越小难度越大，必须用到ASML那种价格极高的设备，现在不用再这样刻了，材料可以自己组装起来，就像搭积木那样方便，关键是界面非常干净，没有传统多层堆叠常见的毛刺和电阻问题，这就好比以前修路需要一铲一铲挖土铺平，现在土自己就能铺好，车子跑得又快又省油。

实验室数据显示这项技术很厉害，电子迁移率比现在的FinFET芯片高出十倍，手机续航时间可能会翻倍，虽然具体功耗数字还没公布，但方向是对的，这种技术最适合用在AI芯片和柔性电子这些对能效要求高的地方，量子接口也可能用得上，说白了，它不是用来替代现有芯片的，而是为了开辟新的应用领域。

美国在2023年禁止出口EUV光刻机给中国，想要限制中国生产7纳米以下的芯片，结果中国没有直接去解决光刻机的难题，而是选择了另一条路走，这不是因为造不出光刻机就放弃，而是不按照对方设定的规则来竞争，这让人想起当年中国研发两弹一星的时候，没有设备就自己想办法解决，这次的做法更加巧妙，干脆不用光刻技术去雕刻芯片，而是改用直接生长的方法。

全球都在发展芯片技术，采用不同路线，欧美继续推进EUV光刻，研究High-NA和多图案化工艺以及纳米片晶体管，日本专注于蚀刻材料，依然围绕光刻技术展开工作，中国除了追赶光刻机，还在悄悄探索非光刻路线，中科大的项目是其中之一，清华大学开发碳基芯片，上海微电子利用AI算法弥补DUV的不足，去年IEEE大会上，中国团队发表了7篇关于非传统路径的论文，数量首次超过欧美。

我总觉得这件事最有价值的不是技术本身，而是思路变了方向，以前常讲“装备决定一切”，现在证明选对路子更重要，被封锁逼着走别的路，反而打开新的空间，西方那些智库已经开始紧张，他们说这条路如果真走通了，价值五百亿的EUV生态可能一夜之间消失，这不是吓唬人，是真有可能发生。

技术这个东西，有时候越是堵住它，反而更容易找到新路子，关键不在于谁的工具更厉害，而在于谁能跳出那个框框去想问题，张树辰团队做这件事，不光是科研上有突破，更像是在思维方式上打开了一个口子，别人在修补老路的时候，他们正在搭建一座新的桥，至于这座桥能不能通车，还得看接下来怎么去走，但至少方向是选对了。

有网友用高铁刹车片国产化的故事类比，表达了对国产光刻机未来的信心。

网友评论：“以前看过一新闻，说中国的高铁原来的刹车片都是从德进口，二万一片，后来中国人研发出自己的刹车片，价格二千，一下把德国干翻。相信这个光刻机不久也会把阿斯迈干翻的。”

我觉得这个类比很提气，用过往的成功给现在的科研打气，挺鼓舞人的。

还有网友提出了对科技路径的不同看法，强调要敢于质疑和突破。

网友评论：“西方现有的科技路径只是一种选择，中国的科技创新是另一种路径。不要把西方现有的科学理论和科技神化。要敢于质疑和突破才是大道。”

我觉得这个思路很清醒，不盲从、敢创新，确实是科技突围的关键。

另有网友提到了一种全新的芯片研发思路，认为这是底层逻辑上的突破。

网友评论：“不跟光刻机死磕，让芯片自己长！中科大颠覆底层逻辑，打破技术封锁，这波思维胜利太燃。”

我觉得这种换道超车的思路特别酷，有时候跳出惯性思维反而能带来惊喜。

各位读者，你们对此怎么看？