说明：的工作原理、什么是XPS以及电荷转移、元素价态变化、环境电子影响等机制，详细解释了XPS峰左移与右移的原因首先，利用单色X射线光子激发样品表面1-10nm深度内原子的内层电子（如1s、2p轨道电子），使电子克服原子核束缚逸出成为光电子。然后，通过检测器精准测量光电子的动能（Ek，其数值直接由原子的电子云密度、化学成键状态、氧化态及周围化学环境决定。相同元素在不同化学环境中，内层电子受到的核引力不同，结合能会发生规律性变化，反映在谱图上即为峰位的左移或右移，因此峰位偏移是表征原子化学状态改变的核心依据。

二、什么是XPS峰位移

峰位移是指同一元素在不同化学环境中，其内层电子的光电子能谱特征峰位置发生的规律性偏移，从工作原理来看，电子环境当原子的电子云密度、周围成键原子电负性、氧化态等发生改变时，内层电子受到的核引力会增强或减弱，导致结合能数值变化，最终表现为谱峰在横轴（结合能轴）上的左右移动。

DOI: 10.1016/j.apcatb.2017.11.042

峰左移的本质是原子内层电子的结合能降低，核心驱动力是内层电子受到的有效核电荷吸引力减弱，而这一现象主要由电子云密度增加或电子屏蔽效应增强导致，具体包括以下场景：

1. 电荷转移

。最典型的如金属载体相互作用（MSI）中，载体向金属活性组分注入电子，或原子与给电子配体形成配位键，使内层电子被额外电子云包裹，屏蔽了部分核电荷引力，导致结合能降低。

nDOI: 10.1021/acsaem.5c00319

2. 元素价态降低

随着屏蔽作用的增强，内层电子受到的有效核电荷显著降低，原子核对其的束缚力相应减弱，而电子的结合能直接与核束缚力相关，束缚力减弱意味着电子克服核引力逸出所需的能量减少，结合能随之下降。

DOI: 10.1021/acscatal.7b01951

3. 富电子环境影响

峰位偏移的程度与电子密度的增加幅度存在一定关联性，其本质是化学环境通过电子离域机制对原子电子结构产生的调控作用。

XPS这种电荷梯度会驱动导电区域的电子向绝缘/低导电区域定向迁移，或使目标原子周围因电荷无法及时消散而积累电子，并导致目标原子的电子云密度显著升高。

电子云密度的增加会强化外层电子对内层电子的屏蔽效应，削弱原子核对内层电子的有效核电荷引力XPSDOI: 10.1016/j.apsusc.2025.162504

四、XPS峰右移的原因

本质是内层电子受到的有效核电荷吸引力增强，核心由电子云密度减少或电子屏蔽效应减弱引发例如，金属载体相互作用中金属向载体转移电子、原子与电负性极强的元素形成共价键时，会使电子被电负性物种强烈吸引而偏离原原子。

DOI: 10.1021/acsami.9b17183

2. 元素价态升高

电子数量减少后，外层电子对内层电子的保护作用显著弱化，使得内层电子无法再被充分“遮挡”，从而直接暴露在更强的原子核正电荷引力场中。

DOI: 10.1021/ja412447q

3. 缺电子环境影响

原子所处化学环境中存在强吸电子基团或载体表面缺陷位点，这些物种通过电子诱导效应或空间效应抽离目标原子的电子云，导致目标原子电子密度降低，原子核对内层电子的束缚力增强，引发峰位右移。

XPSDOI: 10.1021/acscatal.2c01825

4.静电效应

实验中，样品表面会持续受到X射线照射，进而不断发射光电子与俄歇电子。若样品为导体且接地良好，其失去的电子能通过接地回路迅速得到补充，样品表面可始终维持电中性，不会产生额外电荷积累。但如果样品是绝缘体或导电性较差，失去的电子无法通过有效途径及时补充，随着电子的持续流失，样品表面会逐渐积累起正电荷。

这种表面正电荷会对逸出的光电子产生额外的静电引力，导致光电子实际检测到的动能降低，并直接导致计算出的结合能升高，然后表现为XPS特征峰向高结合能方向右移。

总而言之，XPS峰的偏移主要受到电荷转移、元素价态变化、原子配位环境等众多能改变目标电荷分布的机制的影响。