【热点评述】重大突破，中国芯片领域又一世界级的成果，意义重大。 据报道，9日从复旦大学获悉，该校集成芯片与系统全国重点实验室、集成电路与微纳电子创新学院周鹏-刘春森团队研发出全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片，解决了存储速率的技术难题。 这是重大突破，该研究成果8日发表于国际学术期刊《自然》。能发表在《自然》期刊上，足见其研究成果获得了重视。 报道分析称，这是复旦大学继“破晓（PoX）”皮秒闪存器件问世后，在二维电子器件工程化道路上的又一次里程碑式突破。 这以研究成果的重大意义在于：（一）该研究成果将二维超快闪存与成熟互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺深度融合，攻克了二维信息器件工程化的关键难题；（二）该成果率先实现全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片的研发，是在闪存新领域拓展新方向。（三）该研究成果意味着，这一类型的芯片可突破闪存本身在速度、功耗、集成度上的平衡限制，未来或可在3D应用层面带来更大市场机会。（四）闪存芯片面临两大技术瓶颈：一是传统2D闪存的存储单元尺寸已接近物理极限，3D闪存通过垂直堆叠突破了密度瓶颈（目前已达500层以上），但堆叠层数增加导致芯片散热困难、良率下降且成本上升。而该成果在解决速度、功耗、集成度上的平衡限制，可能有助于解决芯片散热问题，并提高良品率；二是原本的闪存设计方式在速度与功耗平衡受到限制，即高性能NAND闪存读写速度快但功耗高，难以满足物联网等低功耗场景需求；而低功耗嵌入式Flash速度慢，无法适配AI、大数据等高速存储场景。例如，QLC NAND虽提升了存储密度，但擦写寿命仅数百次、数据保持时间仅1年，无法满足工业设备长寿命要求。而这一次，复旦大学的研究成果成为全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片，有助于在解决了存储速率的技术难题，推进了速度与功耗平衡方面的限制，扩大新的前景，。
