英特尔芯片黑科技官宣 国产旗舰机低至百元刷新感人记录

近日，英特尔新任 CEO 陈立武在IntelFoundry Direct Connect 2025 活动中表示，18A 工艺节点已进入风险生产阶段，预计将在 2025 年晚些时候开始量产。同时，18A 工艺的性能增强版——18A-P，也已在晶圆厂中运行，并产出了早期晶圆。英特尔还透露，其 18A-PT 版本将采用类似AMD3D V-Cache 的 3D 堆叠技术，名为 Foveros Direct，实现垂直晶圆堆叠，并在关键互连密度方面与台积电的产品相媲美。

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英特尔还宣布了 14A 工艺节点的最新进展。作为 18A 的后续工艺节点，14A(1.4nm 等效)预计将于2027 年推出，并成为业内首个采用 High-NA EUV 光刻技术的节点。相比 18A，14A 预计能效将提升15%-20%，芯片密度将增加约 30%，功耗也将进一步降低。

为了满足先进封装的需求，英特尔代工服务将提供系统级集成服务，利用 Intel 14A 和 Intel 18A-P 制程节点，通过 Foveros Direct(3D 堆叠)和 EMIB(2.5D桥接)技术实现连接。此外，英特尔还将推出新的先进封装技术，包括面向未来高带宽内存需求的 EMIB-T，以及在 Foveros 3D 方面的 Foveros-R 和 Foveros-B，为客户提供更多高效灵活的选择。