全球首条35微米功率半导体超薄晶圆工艺及封装测试一体化生产线在上海正式建成投产。该产线的落地，不仅打破了国外在超薄晶圆领域的长期技术垄断，更实现了国产先进封装工艺的跨越式升级，成为我国半导体产业攻坚高端领域的关键里程碑，为国内半导体产业高质量发展注入强劲动力。

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据悉，这条一体化产线由尼西半导体科技(上海)有限公司主导建设，是美国万国半导体(AOS)在华核心生产基地的重要升级项目，整合了晶圆制造与先进封装全流程环节，覆盖从晶圆键合、研磨减薄到封装测试的完整产业链，彻底改变了以往分段生产的低效模式。

35微米超薄晶圆是当前功率半导体领域的极致工艺，厚度仅为普通头发丝的一半，加工难度极高，长期被少数海外企业把控核心技术。此次投产的产线，凭借自主研发的精密加工工艺，将晶圆厚度误差精准控制在±1.5微米以内，碎片率低于0.1%，成功攻克了超薄基底成型、应力控制等多重技术难关，从源头解决了传统厚晶圆导通损耗大、散热效率低的短板。

值得关注的是，产线配套的先进封装工艺与超薄晶圆形成协同效应，量身打造了精密键合、激光切割等全套方案，解决了超薄芯片易破损、集成度低的行业难题。经测试，该工艺可使芯片散热效率提升超60%，器件使用寿命延长数倍，完美适配新能源汽车、5G基站等高端场景。同时，产线核心装备均实现自主可控，由国内企业联合研发，彻底摆脱了对海外设备的依赖。

业内人士表示，该产线单日可产出12万颗成品功率芯片，规模化产能将有效缓解国内高端芯片供需紧张局面，加速国产高端功率芯片替代进程，推动我国在全球功率半导体市场的话语权提升。