韩媒：中国HBM技术正在加速追赶韩国！ 5月31日，韩国媒体《商业邮报》发表文章称，中国华为和长鑫存储加快了人工智能（AI）半导体相关技术的发展，特别是，中国在SK海力士和三星电子主导的高带宽存储器（HBM）市场的加速追赶，被认为是韩国半导体行业的中长期风险。   近日，英国《经济学人》报道称，“乐观情绪正在华为等中国半导体公司蔓延，因为中国的AI技术能力正在克服美国的限制。”

在前总统乔·拜登和唐纳德·特朗普任期内，美国政府逐步加强了半导体出口管制等措施，以阻止中国AI产业的发展。

这体现了这样的判断：包括英伟达在内的顶级公司的高性能半导体正在促进中国大型科技公司能力的快速增强。

不过，《经济学人》表示，腾讯、阿里巴巴等本土企业已经运营了多个大型AI数据中心，自DeepSeek出现以来，情况有所改善。

这是因为DeepSeek在中国开发的AI模型为本土企业提供了一个技术发展方向，可以在不严重依赖英伟达高性能半导体的情况下实现足够的性能。

《经济学人》分析称，华为等中国公司AI半导体技术的发展也促成了这一趋势。

华为AI半导体的性能不如英伟达产品，但可以通过组合多种半导体克服性能差距。

《经济学人》报道称，除了华为之外，包括寒武纪、海光等多家本土企业也在加快推进可能取代英伟达AI半导体的技术商业化。

中国存储半导体公司长鑫存储将自己的HBM商业化的努力也值得关注。

HBM是英伟达AI半导体中必不可少的高规格部件。目前，SK海力士和三星电子实际上垄断了全球市场。

SK海力士和三星电子正在积极应对快速增长的HBM需求，增加产量并专注于下一代标准技术的开发，并将其作为核心增长动力。

然而，《经济学人》表示，“长鑫存储被认为正在迅速追赶SK海力士、三星电子和美国美光的HBM技术。”

这可能对韩国半导体公司构成中长期风险。这是因为，如果HBM市场的垄断体系崩溃，它可能会容易受到供应过剩和价格竞争的影响。

据分析，中国正在通过开发关键半导体生产设备来加强自给自足体系，这些设备由于美国政府主导的监管而难以从其他国家进口。

《经济学人》认为，尽管做出这些努力，但中国想要通过在AI半导体市场建立完全独立的供应链来彻底弥补技术差距并非易事。

特别是，无法从荷兰ASML购买微工艺半导体生产所必需的极紫外（EUV）设备被认为是中国企业最大的弱点。

英伟达和AMD等公司以4纳米以下工艺生产关键的AI半导体产品，以实现卓越的性能和能效，而华为等公司则依赖中芯国际的7纳米微工艺代工。

不过，这可以解释为，如果中国企业克服了在微加工技术领域的弱点，就可以立即获得威胁全球竞争对手的能力。

《经济学人》表示，“华为曾多次实现过去看似不可能的成就，随着中国企业将本国半导体产业的发展视为生存的关键因素，其技术进步的努力将会更加有力。”