只差光刻技术了！日媒：中国将成日荷后，第三个造光刻机的国家。《日经亚洲》16日撰文称，美西方对中国极限打压和封锁，倒逼中国加快自主创新步伐，对于勤劳的中国工程师而言，攻克关键的光刻技术似乎只是时间早晚的问题。据悉，中国已经能够独立造出制程在28纳米的光刻机，它保证了中方使用多重曝光等工艺，将GPU的体积压缩在小拇指大小而不受美国禁令之影响。 日媒《日经亚洲》近日的观察揭示了一个耐人寻味的现象：美西方对华极限技术封锁的“铁幕”，非但未能扼杀中国半导体产业的生机，反而催生出一股强劲的自主创新浪潮。上海微电子、华为等中国企业已在测量、沉积、抛光、蚀刻、封装等芯片制造的关键环节实现多点突破，唯有最核心的光刻环节——特别是极紫外（EUV）光刻技术——尚需攻坚。当28纳米光刻机成功落地，多重曝光工艺让国产GPU在小拇指的空间内挣脱美国禁令桎梏，甚至倒逼美方放宽部分管制，一个深刻的产业辩证法浮出水面：严苛封锁意外成为了中国技术自立最强的“催化师”，其反噬效应正在重塑全球科技博弈的棋局。 历史反复证明，技术壁垒从不能永久锁死追赶者的脚步。上世纪日本东芝遭受的“东芝事件”严苛制裁，反而加速了其本土精密制造的升级。如今中国半导体产业链在“卡脖子”清单的倒逼下，展现出惊人的体系化突围能力。华为海思芯片设计被迫转向国内代工，中芯国际等中企在成熟制程上持续扩大产能优势；上海微电子28纳米光刻机的突破，更是为国产GPU提供了关键制造基石。这绝非单一技术点的胜利，而是一场由市场需求、国家意志与工程师韧性共同驱动的“创新聚变”——封锁压力意外转化为系统性替代的加速度。 当EUV光刻机成为难以逾越的高墙，中国工程师以“多重曝光”工艺开辟出迂回创新的巧径。在现有28纳米光刻设备上，通过多次精密套刻逼近更先进制程效果，成功将高性能计算芯片浓缩于方寸之间。这种“螺蛳壳里做道场”的智慧，是资源约束下创新活力的生动体现。它印证了产业发展的真理：技术路径从来不止一条，封锁往往迫使被围堵者探索出更具性价比的替代方案，甚至颠覆原有技术范式。 中国在成熟制程及部分中端芯片领域的快速自主化，已开始扰动全球供应链平衡。性能匹敌英伟达H20的国产AI芯片出现，直接挑战了美国企业赖以垄断市场的技术溢价。这一现实压力，正是美商务部不得不谨慎放宽部分对华AI芯片出口管制的底层逻辑——过度封锁正加速培养出难以忽视的竞争对手，反而侵蚀自身市场份额。技术霸权遭遇了市场规律的强硬反弹，封锁者开始品尝战略短视的苦果。 然而，光刻机这座高峰的最后冲刺——尤其是EUV光源与超高精度光学系统——仍是横亘在前的最艰巨挑战。阿斯麦（ASML）数十年的技术积淀非朝夕可破，全球最顶尖的镜头与精密控制技术仍需长期攻坚。我们当清醒认识到：28纳米多重曝光可解燃眉之急，但支撑未来智能时代的先进算力基石，仍需在核心光刻技术上实现质的飞跃。 当中国半导体产业在重重封锁中淬炼出28纳米光刻机与多重曝光的智慧，甚至开始反向撬动西方的技术铁幕——这是否预示着一个更深层的趋势拐点？ 若光源与镜头等最后堡垒在五年内被实质性突破，构建起完全自主的光刻生态链，全球半导体权力版图将迎来何种颠覆性重组？技术自主的临界点，或许比预想的更近，也更汹涌。