ASML前CEO彼得·温宁克，现任CEO克里斯托弗·富凯曾多次批评美国政府对中国市场的出口管制，并且表示美国的对华制裁完全是基于意识形态所发动的限制，没有任何事实依据可以证明中国发展芯片产业会影响美国的国家安全。与其对中国实施制裁，不如将目光放在本土技术的发展上面，试图阻止中国根本没有意义，中国必然会集中力量创造可替代的技术方案。

自从美国对中国市场封锁了EUV光刻机之后，从西方媒体到中国媒体，讨论热度最高的问题就是“中国落后几代芯片制程？”、“国产EUV什么时候突破封锁？”、“中国的芯片产业与国外有多少年差距？”

从客观角度出发，中国的芯片制造业距离国际水平还有明显差距，尤其是在前端的光刻机上面。我们的光刻机产业起步时间并不短，但是在发展的过程中迟迟没有注重自主化和商业化，过于信任全球化的产业体系，导致在关键时期被美国卡脖子。

尽管EUV光刻机被誉为人类工业领域最精密的仪器之一，可以制造7nm及以下工艺的先进芯片，但是在全球芯片制造业每年制造的1亿片12英寸晶圆当中，EUV制造的芯片只有1%的总量占比，更多产品则是依赖于DUV光刻机制造的传统成熟芯片。

成熟芯片是一切产业运转的基石，先进芯片的研发也是建立在成熟芯片的技术基础之上。

美国前几年重点在先进芯片领域对中国企业围追堵截，尽管中国制造出了7nm芯片，但中国企业因此付出了巨大的经济代价。为了平衡在先进芯片领域投入的巨量资源，中国企业开始在成熟芯片领域扩充产能，销售成熟芯片所带来的经济效益，可以直接补贴到先进芯片的研发当中，同时让两种芯片技术并行发展。

先进设备的研发并不能一蹴而就，ASML为了解决EUV光刻机的问题，也是经过几十年的验证才成功的。

据我国半导体行业协会副理事长叶甜春表示，中国芯片产业在材料领域实现了较为明显的国产化发展。12英寸45nm—28nm工艺所用材料的品种覆盖率已超过70%，先进存储工艺所用材料品种覆盖率超过75%，300mm大硅片也已经实现了对国内FAB工厂主要工艺的全覆盖。

在前端的光刻胶材料领域，早期的i线光刻胶市场占比已经超过了20%，ArF干式光刻胶开始批量应用，继续推动成熟芯片的国产化替代。在193nm的KrF光刻胶产业中，已经实现了10%的市场占有率，部分涉及到浸润式技术的先进材料开始小批量供应，整个产业链稳步推进当中。

尽管美国在对华制裁上面已经将封锁扩大到了单个设备，但是想要通过科技战的方法压制中国技术发展，这从根本上来说对于中美两国的企业都没有好处，反而还会迫使中国企业开发自主设备，摒弃进口产品。

在全产业的制造设备上面，刻蚀机、沉积设备、清洗机均已经具备国产化替代的能力，而最前端的光刻机设备依然是制约中国芯片发展的核心难题。

先进光刻机并不是研发几年就能立马获得成果，ASML能成功，最大因素就是具备全球顶尖法供应链体系。光是激光系统，就涉及到激光器、锡液滴发生器、收集镜三大工业技术。这三大技术被美国的Cymer公司所攻克，ASML在后来收购了这家公司，在美国技术的基础上开发设备，这也为美国长臂管辖提供了有利条件。

而中国自主的EUV设备，已经布局了几十年，并且取得了显著的技术成果，但距离将自主技术应用到商业化领域，还有很长的路要走。

据中国科学院长春光机所发布的资料显示：

中国各大单位自上世纪90年代开始涉足EUV成像技术，2002年，长春光机所实现了国内第一套EUV光刻原理装置的研发，将整个技术逻辑实现了贯通。2008年，国家将EUV光刻技术列入重要攻关任务。2017年，国家科技重大专项组在长春光机所进行了EUV光刻技术的项目验收，在光源系统层面实现了技术突破。

参考资料：

该技术的突破，集合了中科院旗下多个研究所、哈尔滨工业大学、华中科技大学等多所高校的力量才得以实现。但这只是在光源系统的技术突破，除此之外还需要有对准系统、高速晶圆台、高精度反射镜组、真空室等多个模块单元。

每个模块都需要单独进行开发，在所有的模块环节开发完成之后，就需要将其拼装成一个完全体的光刻机设备。在设备拼装完成之后，就进入到实验阶段。实验阶段需要反复对产品进行调试，只有达到合格标准之后，才能被出售给相关企业制造芯片。

除此之外，国产设备还会面临着跟其他设备的兼容度、跟制造材料的兼容度、内部耗材的更替周期等多个问题，这些问题与芯片的制造效率息息相关，需要长时间的技术磨合。

如果说之前的中国芯片是慢步跟随，那么现在的中国芯片就是闷头狂奔。一切以自主技术的突破为导向，在有限的时间内去解决遇到的问题，抢占芯片科技制高点。就算暂时拿不下制高点，也得想办法让中国芯片被卡脖子的风险降到最低。